Imagens apenas para referência
1N6622US
+Lista de MateriaisDIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF
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FabricanteTecnologia Microchip
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Peça do Fabricante #1N6622US
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Ficha Técnica 1N6622US DataSheet
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Pacote SQ-MELF, A
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Em Estoque7558
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | Microchip Technology |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Active |
| Diode Type | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 660 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 1.2A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4 V @ 1.2 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500 nA @ 660 V |
| Capacitance @ Vr F | 10pF @ 10V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | A-MELF |
