Imagens apenas para referência
1N8026-GA
+Lista de MateriaisDIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
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FabricanteGeneSiC Semiconductor
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Peça do Fabricante #1N8026-GA
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Ficha Técnica 1N8026-GA DataSheet
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Pacote TO-257-3
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Em Estoque4813
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package | Tube |
| ProductStatus | Obsolete |
| DiodeType | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 1200 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 8A (DC) |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.6 V @ 2.5 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 0 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 10 µA @ 1200 V |
| Capacitance@VrF | 237pF @ 1V, 1MHz |
| MountingType | Through Hole |
| Package/Case | TO-257-3 |
| SupplierDevicePackage | TO-257 |
