2SK3798(STA4,Q,M)

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2SK3798(STA4,Q,M)

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POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220(S

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier Toshiba Semiconductor and Storage
Package / Case Tube
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 3.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 800 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Operating Temperature 150°C
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220SIS

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