Imagens apenas para referência
ALD111933PAL
+Lista de MateriaisMOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
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FabricanteAdvanced Linear Devices Inc.
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Peça do Fabricante #ALD111933PAL
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Ficha Técnica ALD111933PAL DataSheet
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Pacote DIP-8
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Em Estoque3174
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | Advanced Linear Devices Inc. |
| Package / Case | Tube |
| Series | EPAD® |
| Part Status | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 500Ohm @ 5.9V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 3.35V @ 1µA |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| Power - Max | 500mW |
| Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |