APTM100A46FT1G

Imagens apenas para referência

APTM100A46FT1G

+Lista de Materiais

MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier Microchip Technology
Package / Case Bulk
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 19A
Rds On(Max) @ Id Vgs 552mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 260nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 6800pF @ 25V
Power - Max 357W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount

Produtos relacionados a APTM100A46FT1G