BS2101F-E2

Imagens apenas para referência

BS2101F-E2

+Lista de Materiais

IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8SOP

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Package / Case Cut Tape (CT)
Part Status Not For New Designs
Driven Configuration High-Side or Low-Side
Channel Type Synchronous
Number of Drivers 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 18V
Logic Voltage - VILVIH 1V, 2.6V
Current - Peak Output(Source Sink) 60mA, 130mA
Input Type Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 60ns, 20ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type Surface Mount

Produtos relacionados a BS2101F-E2