BSM300C12P3E201

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BSM300C12P3E201

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SICFET N-CH 1200V 300A MODULE

  • FabricanteSemiconductor de Rohm

  • Peça do Fabricante #BSM300C12P3E201

  • Em Estoque4

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Bulk
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 300A (Tc)
Vgs(th)(Max) @ Id 5.6V @ 80mA
Vgs(Max) +22V, -4V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 15000 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max) 1360W (Tc)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Supplier Device Package Module

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