Imagens apenas para referência
BSM75GB170DN2HOSA1
+Lista de MateriaisIGBT MOD 1700V 110A 625W
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FabricanteTecnologias Infineon
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Peça do Fabricante #BSM75GB170DN2HOSA1
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Ficha Técnica BSM75GB170DN2HOSA1 DataSheet
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Pacote Module
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Em Estoque642
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies |
| Package / Case | Bulk,Tray |
| Part Status | Obsolete |
| Configuration | Half Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | 1700 V |
| Current - Collector(Ic)(Max) | 110 A |
| Power - Max | 625 W |
| Vce(on)(Max) @ Vge Ic | 3.9V @ 15V, 75A |
| Input Capacitance(Cies) @ Vce | 11 nF @ 25 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
