Imagens apenas para referência
BSO615NGHUMA1
+Lista de MateriaisMOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
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FabricanteTecnologias Infineon
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Peça do Fabricante #BSO615NGHUMA1
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Pacote SOIC-8
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Em Estoque2866
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | Infineon Technologies |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | SIPMOS® |
| ProductStatus | Obsolete |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) |
| FETFeature | Logic Level Gate |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 60V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 2.6A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 150mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2V @ 20µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 20nC @ 10V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 380pF @ 25V |
| Power-Max | 2W |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
