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MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
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FabricanteNXP USA Inc.
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Peça do Fabricante #BUK969R3-100E,118
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Ficha Técnica BUK969R3-100E,118 DataSheet
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Em Estoque3644
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Bulk |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 8.9mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 94.3 nC @ 5 V |
| Vgs(Max) | ±10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 11650 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 263W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D2PAK |
