EPC2012C

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GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE

  • FabricanteEPC

  • Peça do Fabricante #EPC2012C

  • Em Estoque7568

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier EPC
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series eGaN®
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 1.3 nC @ 5 V
Vgs(Max) +6V, -4V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 140 pF @ 100 V
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package Die Outline (4-Solder Bar)

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