Imagens apenas para referência
EPC2106ENGRT
+Lista de MateriaisGAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
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FabricanteEPC
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Peça do Fabricante #EPC2106ENGRT
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Ficha Técnica EPC2106ENGRT DataSheet
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Pacote Die
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Em Estoque3918
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | EPC |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | eGaN® |
| Part Status | Discontinued at Digi-Key |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 1.7A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 70mOhm @ 2A, 5V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.5V @ 600µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 0.73nC @ 5V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 75pF @ 50V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
