ESH3B-M3/9AT

Imagens apenas para referência

ESH3B-M3/9AT

+Lista de Materiais

DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

  • FabricanteVishay General Semiconductor - Divisão de Diodes

  • Peça do Fabricante #ESH3B-M3/9AT

  • Pacote DO-214AB

  • Em Estoque7097

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Package / Case Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Diode Type Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100 V
Current - Average Rectified(Io) 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 900 mV @ 3 A
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 40 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 5 µA @ 100 V
Capacitance @ Vr F 70pF @ 4V, 1MHz
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package DO-214AB (SMC)

Produtos relacionados a ESH3B-M3/9AT