G08P06D3

Imagens apenas para referência

P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.

  • FabricanteGoford Semiconductor

  • Peça do Fabricante #G08P06D3

  • Em Estoque5683

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier Goford Semiconductor
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Active
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 52mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 2972 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package 8-DFN (3.15x3.05)

Produtos relacionados a G08P06D3