G30N03D3

Imagens apenas para referência

N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@

  • FabricanteGoford Semiconductor

  • Peça do Fabricante #G30N03D3

  • Em Estoque2808

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier Goford Semiconductor
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 30A
Rds On(Max) @ Id Vgs 7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 825 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 24W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package 8-DFN (3.15x3.05)

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