G3S12003A

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SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 3A 2-PI

  • FabricanteGlobal Power Technology-GPT

  • Peça do Fabricante #G3S12003A

  • Pacote TO-220-2

  • Em Estoque4168

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier Global Power Technology-GPT
Package Cut Tape (CT),Tape & Box (TB)
ProductStatus Active
DiodeType Silicon Carbide Schottky
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 1200 V
Current-AverageRectified(Io) 12A (DC)
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.7 V @ 3 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
ReverseRecoveryTime(trr) 0 ns
Current-ReverseLeakage@Vr 100 µA @ 1200 V
Capacitance@VrF 260pF @ 0V, 1MHz
MountingType Through Hole
Package/Case TO-220-2
SupplierDevicePackage TO-220AC

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