Imagens apenas para referência
G4S12010PM
+Lista de MateriaisSIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P
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FabricanteGlobal Power Technology Co. Ltd.
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Peça do Fabricante #G4S12010PM
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Ficha Técnica G4S12010PM DataSheet
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Pacote TO-247-2
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Em Estoque9983
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | Global Power Technology Co. Ltd |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Active |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 33.2A (DC) |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
