Imagens apenas para referência
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 2-P
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FabricanteGlobal Power Technology-GPT
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Peça do Fabricante #G4S12020D
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Ficha Técnica G4S12020D DataSheet
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Pacote TO-263-3
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Em Estoque8111
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | Global Power Technology-GPT |
| Package / Case | Cut Tape (CT),Tape & Box (TB) |
| Part Status | Active |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 75A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 20 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 1200 V |
| Capacitance @ Vr F | 2600pF @ 0V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-263 |
