Imagens apenas para referência
G4S6508Z
+Lista de MateriaisSIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A DFN5
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FabricanteGlobal Power Technology Co. Ltd.
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Peça do Fabricante #G4S6508Z
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Ficha Técnica G4S6508Z DataSheet
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Pacote TDFN-8
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Em Estoque9952
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | Global Power Technology Co. Ltd |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Active |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 30.5A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 650 V |
| Capacitance @ Vr F | 395pF @ 0V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-DFN (4.9x5.75) |
