Imagens apenas para referência
G5S12010BM
+Lista de MateriaisSIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P
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FabricanteGlobal Power Technology Co. Ltd.
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Peça do Fabricante #G5S12010BM
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Ficha Técnica G5S12010BM DataSheet
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Pacote TO-247-3
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Em Estoque6745
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | Global Power Technology Co. Ltd |
| Package | Bulk |
| ProductStatus | Active |
| DiodeConfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| DiodeType | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 1200 V |
| Current-AverageRectified(Io)(perDiode) | 19.35A (DC) |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.7 V @ 5 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 0 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 50 µA @ 1200 V |
| OperatingTemperature-Junction | -55°C ~ 175°C |
| MountingType | Through Hole |
| Package/Case | TO-247-3 |
