Imagens apenas para referência
G5S12010D
+Lista de MateriaisSIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P
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FabricanteGlobal Power Technology-GPT
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Peça do Fabricante #G5S12010D
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Ficha Técnica G5S12010D DataSheet
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Em Estoque4119
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | Global Power Technology-GPT |
| Package | Cut Tape (CT),Tape & Box (TB) |
| ProductStatus | Active |
| DiodeType | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 1200 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 30.9A (DC) |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.7 V @ 10 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 0 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 50 µA @ 1200 V |
| Capacitance@VrF | 825pF @ 0V, 1MHz |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| SupplierDevicePackage | TO-263 |
