GA05JT12-263

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GA05JT12-263

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TRANS SJT 1200V 15A D2PAK

  • FabricanteGeneSiC Semiconductor

  • Peça do Fabricante #GA05JT12-263

  • Ficha Técnica GA05JT12-263 DataSheet

  • Em Estoque4297

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier GeneSiC Semiconductor
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 15A (Tc)
Power Dissipation (Max) 106W (Tc)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-263-7

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