GA10JT12-247

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GA10JT12-247

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TRANS SJT 1200V 10A TO247AB

  • FabricanteGeneSiC Semiconductor

  • Peça do Fabricante #GA10JT12-247

  • Ficha Técnica GA10JT12-247 DataSheet

  • Em Estoque5175

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier GeneSiC Semiconductor
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 10A (Tc)
Rds On(Max) @ Id Vgs 140mOhm @ 10A
Power Dissipation (Max) 170W (Tc)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247AB

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