Imagens apenas para referência
GB05MPS33-263
+Lista de MateriaisSIC SCHOTTKY 3300V 5A TO-263-7
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FabricanteGeneSiC Semiconductor
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Peça do Fabricante #GB05MPS33-263
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Ficha Técnica GB05MPS33-263 DataSheet
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Pacote TO-263-8
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Em Estoque732
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package / Case | Tube |
| Series | SiC Schottky MPS™ |
| Part Status | Active |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 3300 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 14A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3 V @ 5 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 3000 V |
| Capacitance @ Vr F | 288pF @ 1V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
