Imagens apenas para referência
GB10SLT12-252
+Lista de MateriaisDIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
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FabricanteGeneSiC Semiconductor
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Peça do Fabricante #GB10SLT12-252
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Ficha Técnica GB10SLT12-252 DataSheet
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Pacote TO-252-3
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Em Estoque8019
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package / Case | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 10A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2 V @ 10 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 250 µA @ 1200 V |
| Capacitance @ Vr F | 520pF @ 1V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-252 |
