Imagens apenas para referência
GD2X60MPS06N
+Lista de Materiais650V 120A SOT-227 SIC SCHOTTKY
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FabricanteGeneSiC Semiconductor
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Peça do Fabricante #GD2X60MPS06N
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Ficha Técnica GD2X60MPS06N DataSheet
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Pacote SOT-227-4
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Em Estoque300
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package / Case | Tube |
| Series | SiC Schottky MPS™ |
| Part Status | Active |
| Diode Configuration | 2 Independent |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified(Io)(per Diode) | 70A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 60 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 650 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Mounting Type | Chassis Mount |
