Imagens apenas para referência
GT60N321(Q)
+Lista de MateriaisIGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
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FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
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Peça do Fabricante #GT60N321(Q)
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Pacote TO-3PL
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Em Estoque4428
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Package | Tube |
| ProductStatus | Obsolete |
| Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) | 1000 V |
| Current-Collector(Ic)(Max) | 60 A |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 120 A |
| Vce(on)(Max)@VgeIc | 2.8V @ 15V, 60A |
| Power-Max | 170 W |
| InputType | Standard |
| Td(on/off)@25°C | 330ns/700ns |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 2.5 µs |
| OperatingTemperature | 150°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole |
| Package/Case | TO-3PL |
