GT60N321(Q)

Imagens apenas para referência

IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

  • FabricanteToshiba Semiconductor and Storage

  • Peça do Fabricante #GT60N321(Q)

  • Pacote TO-3PL

  • Em Estoque4428

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier Toshiba Semiconductor and Storage
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 1000 V
Current - Collector(Ic)(Max) 60 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.8V @ 15V, 60A
Power - Max 170 W
Input Type Standard
Td(on / off) @ 25°C 330ns/700ns
Reverse Recovery Time (trr) 2.5 µs
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole

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