Imagens apenas para referência
IDB09E60ATMA1
+Lista de MateriaisDIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263
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FabricanteTecnologias Infineon
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Peça do Fabricante #IDB09E60ATMA1
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Ficha Técnica IDB09E60ATMA1 DataSheet
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Pacote TO-263-3
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Em Estoque4998
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| Diode Type | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 19.3A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2 V @ 9 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 600 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
