Imagens apenas para referência
DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
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FabricanteTecnologias Infineon
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Peça do Fabricante #IDB10S60C
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Ficha Técnica IDB10S60C DataSheet
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Pacote TO-263-3
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Em Estoque5184
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | Infineon Technologies |
| Package / Case | Tape & Reel (TR) |
| Series | CoolSiC™+ |
| Part Status | Obsolete |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 10A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 140 µA @ 600 V |
| Capacitance @ Vr F | 480pF @ 1V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
