Imagens apenas para referência
IDH05G65C5XKSA2
+Lista de MateriaisIDH05G65 - 600 V SILICION CARBID
-
FabricanteTecnologias Infineon
-
Peça do Fabricante #IDH05G65C5XKSA2
-
Ficha Técnica IDH05G65C5XKSA2 DataSheet
-
Pacote TO-220-2
-
Em Estoque5198
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Bulk |
| Series | CoolSiC™+ |
| Part Status | Active |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 5A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 5 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 90 µA @ 650 V |
| Capacitance @ Vr F | 160pF @ 1V, 1MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | PG-TO220-2 |
