IXFX30N100Q2

Imagens apenas para referência

IXFX30N100Q2

+Lista de Materiais

MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247-3

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series HiPerFET™, Q2 Class
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 400mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 8mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 186 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 8200 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 735W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package PLUS247™-3

Produtos relacionados a IXFX30N100Q2