Imagens apenas para referência
MBR20030CTR
+Lista de MateriaisDIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
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FabricanteGeneSiC Semiconductor
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Peça do Fabricante #MBR20030CTR
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Pacote Twin Tower
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Em Estoque5424
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Active |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30 V |
| Current - Average Rectified(Io)(per Diode) | 200A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 650 mV @ 100 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 mA @ 20 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Chassis Mount |
