Imagens apenas para referência
MUR20010CT
+Lista de MateriaisDIODE MODULE 100V 100A 2TOWER
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FabricanteGeneSiC Semiconductor
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Peça do Fabricante #MUR20010CT
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Ficha Técnica MUR20010CT DataSheet
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Pacote Twin Tower
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Em Estoque9260
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Active |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Current - Average Rectified(Io)(per Diode) | 100A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 100 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 50 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Chassis Mount |
