Imagens apenas para referência
MURTA200120
+Lista de MateriaisDIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
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FabricanteGeneSiC Semiconductor
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Peça do Fabricante #MURTA200120
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Ficha Técnica MURTA200120 DataSheet
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Pacote Three Tower
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Em Estoque7191
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package | Bulk |
| ProductStatus | Active |
| DiodeConfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| DiodeType | Standard |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 1200 V |
| Current-AverageRectified(Io)(perDiode) | 100A |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 2.6 V @ 100 A |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 25 µA @ 1200 V |
| OperatingTemperature-Junction | -55°C ~ 150°C |
| MountingType | Chassis Mount |
| Package/Case | Three Tower |
