NTMFD4C86NT1G

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NTMFD4C86NT1G

+Lista de Materiais

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk
ProductStatus Obsolete
FETType 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FETFeature Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 11.3A, 18.1A
RdsOn(Max)@IdVgs 5.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 22.2nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1153pF @ 15V
Power-Max 1.1W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-PowerTDFN

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