Imagens apenas para referência
NVMFD5873NLT1G
+Lista de MateriaisMOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
-
Fabricanteonsemi
-
Peça do Fabricante #NVMFD5873NLT1G
-
Ficha Técnica NVMFD5873NLT1G DataSheet
-
Pacote TDFN-8
-
Em Estoque7536
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | onsemi,Rochester Electronics, LLC |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| ProductStatus | Obsolete |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) |
| FETFeature | Logic Level Gate |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 60V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 10A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 13mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.5V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 30.5nC @ 10V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1560pF @ 25V |
| Power-Max | 3.1W |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 8-PowerTDFN |
