NXH010P120MNF1PG

Imagens apenas para referência

NXH010P120MNF1PG

+Lista de Materiais

PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier onsemi
Package Tray
ProductStatus Active
FETType 2 N-Channel (Dual) Common Source
FETFeature Silicon Carbide (SiC)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200V (1.2kV)
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 114A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 14mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id 4.3V @ 40mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 454nC @ 20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 4707pF @ 800V
Power-Max 250W (Tj)
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Chassis Mount
Package/Case Module

Produtos relacionados a NXH010P120MNF1PG