NXH010P120MNF1PG

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NXH010P120MNF1PG

+Lista de Materiais

PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier onsemi
Package / Case Tray
Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 114A (Tc)
Rds On(Max) @ Id Vgs 14mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th)(Max) @ Id 4.3V @ 40mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 454nC @ 20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4707pF @ 800V
Power - Max 250W (Tj)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount

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