Imagens apenas para referência
PHN203,518
+Lista de MateriaisMOSFET 2N-CH 30V 6.3A SOT96-1
-
FabricanteNexperia USA Inc.
-
Peça do Fabricante #PHN203,518
-
Ficha Técnica PHN203,518 DataSheet
-
Pacote SOIC-8
-
Em Estoque9214
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | Nexperia USA Inc.,Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Bulk |
| Series | TrenchMOS™ |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 6.3A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 30mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 14.6nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 560pF @ 20V |
| Power - Max | 2W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
