Imagens apenas para referência
PMDPB38UNE,115
+Lista de MateriaisMOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6
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FabricanteNXP USA Inc.
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Peça do Fabricante #PMDPB38UNE,115
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Ficha Técnica PMDPB38UNE,115 DataSheet
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Pacote UDFN-6
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Em Estoque6379
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | NXP USA Inc.,Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 4A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 46mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 4.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 268pF @ 10V |
| Power - Max | 510mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
