Imagens apenas para referência
PMDPB42UN,115
+Lista de MateriaisMOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6
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FabricanteNXP USA Inc.
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Peça do Fabricante #PMDPB42UN,115
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Ficha Técnica PMDPB42UN,115 DataSheet
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Pacote 6-UDFN Exposed Pad
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Em Estoque5174
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | NXP USA Inc.,Rochester Electronics, LLC |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk |
| ProductStatus | Obsolete |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) |
| FETFeature | Logic Level Gate |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 20V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 3.9A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 50mOhm @ 3.9A, 4.5V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 1V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 3.5nC @ 4.5V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 185pF @ 10V |
| Power-Max | 510mW |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 6-UDFN Exposed Pad |
