R1EV58064BDARBI#B2

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R1EV58064BDARBI#B2

+Lista de Materiais

IC EEPROM 64KB C-MOS 28DIP

  • FabricanteRenesas Electronics America Inc.

  • Peça do Fabricante #R1EV58064BDARBI#B2

  • Pacote DIP-28

  • Em Estoque5375

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Package / Case Tray
Series R1EV58064BxxR
Part Status Obsolete
Memory Type Non-Volatile
Memory Format EEPROM
Technology EEPROM
Memory Size 64Kb (8K x 8)
Memory Interface Parallel
Write Cycle Time - Word Page 10ms
Access Time 100 ns
Voltage - Supply 2.7V ~ 5.5V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Through Hole

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