R6008FNX

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MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

  • FabricanteSemiconductor de Rohm

  • Peça do Fabricante #R6008FNX

  • Ficha Técnica R6008FNX DataSheet

  • Em Estoque777

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Bulk,Bulk
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 950mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 580 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220FM

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