Imagens apenas para referência
RDN050N20FU6
+Lista de MateriaisMOSFET N-CH 200V 5A TO220FN
-
FabricanteSemiconductor de Rohm
-
Peça do Fabricante #RDN050N20FU6
-
Ficha Técnica RDN050N20FU6 DataSheet
-
Em Estoque9442
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | Rohm Semiconductor |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 720mOhm @ 2.5A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 18.6 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±30V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 292 pF @ 10 V |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220FN |
