Imagens apenas para referência
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
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FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
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Peça do Fabricante #RN1968FE(TE85L,F)
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Ficha Técnica RN1968FE(TE85L,F) DataSheet
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Pacote SOT-666
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Em Estoque7564
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Part Status | Obsolete |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector(Ic)(Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | 50V |
| Resistor - Base(R1) | 22kOhms |
| Resistor - Emitter Base(R2) | 47kOhms |
| DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Vce Saturation(Max) @ Ib Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Current - Collector Cutoff(Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Power - Max | 100mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
