SCT3080KRC14

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SCT3080KRC14

+Lista de Materiais

SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4L

  • FabricanteSemiconductor de Rohm

  • Peça do Fabricante #SCT3080KRC14

  • Em Estoque563

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Tube
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 31A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 18V
Rds On(Max) @ Id Vgs 104mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th)(Max) @ Id 5.6V @ 5mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 60 nC @ 18 V
Vgs(Max) +22V, -4V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 785 pF @ 800 V
Power Dissipation (Max) 165W
Operating Temperature 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247-4L

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