Imagens apenas para referência
SE10FJHM3/H
+Lista de MateriaisDIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
-
FabricanteVishay General Semiconductor - Divisão de Diodes
-
Peça do Fabricante #SE10FJHM3/H
-
Ficha Técnica SE10FJHM3/H DataSheet
-
Pacote DO-219AB
-
Em Estoque7790
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| ProductStatus | Active |
| DiodeType | Standard |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 600 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 1A |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.05 V @ 1 A |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 780 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 5 µA @ 600 V |
| Capacitance@VrF | 7.5pF @ 4V, 1MHz |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | DO-219AB |
| SupplierDevicePackage | DO-219AB (SMF) |
