SI7909DN-T1-GE3

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SI7909DN-T1-GE3

+Lista de Materiais

MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs 37mOhm @ 7.7A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 700µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 24nC @ 4.5V
Power - Max 1.3W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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