SI7960DP-T1-E3

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SI7960DP-T1-E3

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MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier Vishay Siliconix
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
ProductStatus Obsolete
FETType 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6.2A
RdsOn(Max)@IdVgs 21mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 75nC @ 10V
Power-Max 1.4W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case PowerPAK® SO-8 Dual

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