Imagens apenas para referência
STI19NM65N
+Lista de MateriaisMOSFET N-CH 650V 15.5A I2PAK
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FabricanteSTMicroeletrônica
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Peça do Fabricante #STI19NM65N
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Ficha Técnica STI19NM65N DataSheet
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Em Estoque6380
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | STMicroelectronics |
| Package / Case | Tube |
| Series | MDmesh™ II |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 15.5A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 270mOhm @ 7.75A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±25V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 1900 pF @ 50 V |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | I2PAK |
