Imagens apenas para referência
TPH3208LS
+Lista de MateriaisGANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
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FabricanteTransphorm
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Peça do Fabricante #TPH3208LS
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Ficha Técnica TPH3208LS DataSheet
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Em Estoque3991
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | Transphorm |
| Package / Case | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 130mOhm @ 13A, 8V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.6V @ 300µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 14 nC @ 8 V |
| Vgs(Max) | ±18V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 760 pF @ 400 V |
| Power Dissipation (Max) | 96W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 3-PQFN (8x8) |
